| 제 목 | 학부과정 최현식 (지도교수 우지용) 제1저자 SCI 논문 게재 | ||||
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| 작성자 | 관리자 | 작성일 | 2024-01-25 | 조회수 | 1151 |
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 전자공학부 학부과정 최현식 학생 (지도교수 우지용)은 “Role of oxide barrier in a NbOx layer with noninert electrodes for high-yield threshold switching characteristics”라는 제목으로 국제 SCI 학술지인 AIP Advances에 제1저자로 논문을 게재했다. 최현식 학생은 NbOx 기반의 Threshold Switching (TS) 소자에서 ALD 공정을 통해 산화물 장벽을 도입함으로써 산소 이온의 움직임을 최소화하고 산화물 계면의 특성을 향상시켜 안정적인 TS 동작을 가능하게 하는 방법과 원인에 대해 분석했다. CMOS 공정 호환성을 고려하여 Noninert 물질 전극을 활용했을 때 약화되는 TS 특성의 원인에 대해 파악하여, ZrO2 장벽 도입을 통해 안정적인 TS 동작에 따른 향상된 수율을 보여주는 소자 연구를 수행했다. |
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