전자공학부 석박통합과정(2학기, 지도교수: 김대현) 조현빈 대학원생 (1저자)의 연구결과가 IEEE Electron Device Letters (IF=3.048) 논문의 2018 년 11월 Editor’s Pick 에 선정되었다.

 IEEE Electron Device Letters 는 반도체 소자의 저명한 국제 학술지로 매회 4~5편의 우수한 논문을 선정하여 Front Cover 에 게재하고 있다.

선정된 논문은 ”87 nm InAlAs/InGaAs HEMTs with 3 S/mm g_{m_max} and 559 GHz f_T” 를 주제로 stepper 및 E-beam lithography를 기반으로 제작된 InP 기판 InGaAs HEMTs 소자를 제작하여 전기적 특성 (DC 및 RF) 을 평가하였으며, 제작된 소자의 전기적 특성이 지금까지 출간/발표된 유사한 수준의 게이트 크기의 전자 소자가 보이는 특성보다 뛰어난 결과를 보였다. 상기 결과를 이용하여 작은 게이트 크기의 전자 소자를 제작하였을 때 나타날 수 있는 주파수 특성에 대한 모델링을 진행하였으며, 모델링 결과 현재 보유한 기술을 활용하여 작은 게이트 크기의 InGaAs HEMTs 소자 제작할 경우 세계 최고수준의 주파수 특성을 가지는 전자 소자를 구현할 수 있을 것으로 기대된다.