경북대학교 미래반도체 소자 연구실 – Intel 간의 공동 연구

김대현 교수 연구팀 (http://fsdl.dsso.kr/)은 지난해 12월 2일 미국 포틀랜드에 위치한 Intel 본사에 방문하여 차세대 로직 소자 연구의 핵심부서인 Component Research 연구진과 공동 워크샵을 진행한 바 있다. 본 워크샵에서는 김대현 교수 연구팀이 지난 수년간 활발히 개발해온 III-V 화합물반도체에 관한 다양한 연구성과들을 교류하였으며, 그를 바탕으로 아래 3가지 공동연구 방향이 상호 논의되었다. 

먼저 김대현 교수 연구팀이 지난 VLSI 심포지엄에서 발표한 고전자이동도 인듐갈륨비소 (InGaAs) 기반의 다중가교채널 트랜지스터 (Nano-ribbon Field-Effect-Transistor)를 Si p-channel nano-ribbon FET 소자에 적층하여 Complementary FET (CFET)을 구현하는 연구를 최우선 과제로 진행할 계획이다. 

또한 최근 인텔이 주도하는 RF 전자 어플리케이션을 위한 실리콘 기판 GaN (GaN-on-Si) 소자의 물성적 분석 및 모델링에 관련하여 김대현 교수 연구팀이 수년간 쌓아온 노하우를 바탕으로 긴밀히 협력할 예정이다. 

더불어 500 K에서부터 4 K에 이르는 폭넓은 온도 스펙트럼 상에서의 전하 수송론에 관한 분석적 연구도 함께 진행하고자 하며, 이는 특히 III-V족 화합물 반도체에 관한 물성적 이해를 한층 발전시킬 새로운 시도라는 점에서 귀추가 주목된다. 해당 연구에 대한 자세한 설명은 김대현 교수 연구팀에서 2023년 2월 IEEE Electron Device letters에 발표한 “A New Methodology to Analyze Carrier Transport Properties for InxGa1−xAs Quantum-Well High-Electron Mobility Transistors From Transconductance in Saturation” 논문에서 찾아볼 수 있다. 

이번 김대현 교수팀과 인텔의 공동 연구체결로 인해 2명의 경북대 전자공학부 대학원생이 다가오는 여름부터 인턴십의 기회를 제공받을 수 있게 되었으며, 향후에도 매년 공동 워크샵을 개최하여 긴밀한 협력관계를 도모하고자 한다.