경북대 전자공학부 김대현 교수 연구실의 박사과정 최수민 학생이 2023년도 하반기 인텔의 인턴십 프로그램에 선발되었다. 최수민 학생이 소속될 팀은 인텔 미국 본사 (포트랜드주 오레곤) 차세대 로직 및 시스템 반도체 소자 개발의 핵심부서인 Component Research 팀으로 활동할 예정이다.

최수민 학생은 지난해 12월 학석통합과정 중 세계 최고의 권위를 자랑하는 반도체학술대회인 IEDM (International Electron Devices Meeting)에서 한국인으로 최연소 (만 22세)로 발표하는 영광을 달성한 바 있다. 해당 논문은 FET 소자에서 정확한 DIBL을 추출하기 위한 새로운 방법론과 그 중요성을 고찰한 것으로, 과거부터 현재까지 30년 이상 사용되어져오던 기존 DIBL 추출방법의 한계점을 발견하여 기존 short channel effects에 대한 연구를 점검 및 심화하는 단초를 제공하였다. 이는 향후 중요한 차세대 6G 통신용 반도체 소자의 초고속 동작 특성을 향상시키기 위한 중요한 실마리로 작용하였으며, 결과적으로 최대 공진주파수 (fmax)가 1.1THz로 세계에서 가장 빠른 초고주파 특성을 가지는 Transistor을 개발하는 쾌거를 달성하는 중요한 단초가 되었다.

최수민 학생은 학위 중 초고속 반도체 소자의 동작특성 평가 및 모델링에 주로 전념해왔다. 특히 김대현 교수 연구팀이 다가오는 6월 VLSI symposium에서 발표할 5층 이상의 Multi-stacked channel 구조를 가지는 다중가교채널 트랜지스터 (Nano-ribbon Field-Effect-Transistor)에 대해 모델링을 수행하였으며, 이를 통해 지난 VLSI에서 발표된 3층 Nano-ribbon FET 대비 특성 향상의 요인을 규명하며 핵심적으로 기여하였다. 해당 소자의 경우 최근 인텔과의 공동 연구체결을 통해 Si p-channel nano-ribbon FET 소자에 3차원으로 집적화하여 Complementary FET (CFET)을 구현할 계획으로, 이에 대해 최수민 학생이 인턴십 기간 동안 적극적인 가교역할을 수행할 수 있을 것으로 기대된다.

이외에도 이번 인턴십 프로그램을 통해 차세대 나노반도체 소자의 물성 전반에 대한 이해를 심화하며, 또한 폭넓은 온도 스펙트럼에서의 전하 수송론에 관한 분석적 연구를 진행할 계획이다. 현재 최수민 학생은 차세대 6G 통신용 반도체 소자에 대한 물성 기반의 비선형 모델을 개발하고 있으며, 인턴십 기간동안 위 모델을 더욱 고도화하여 관련 차세대 나노 반도체 소자의 물성적 이해를 한층 발전시키고자 하는 새로운 목표에 도전하고 있다.