전자공학부 석사과정 이창민(지도교수:장재원) 대학원생 (1저자)의 연구결과가 Applied Surface Science, (IF=6.182, JCR 상위 2.5%, Materials Science, Coating & Films Category 분야 1위) 논문에 게재되었다.

“Extremely Bias Stress Stable Enhancement Mode Sol-gel Processed SnO2 Thin Film Transistors with Y2O3 Passivation Layers”제목으로 게재된 연구성과는, 디스플레이 및 투명 전자 소자에 필요한 산화물 반도체중 인듐이 포함되지 않은 비인듐계 SnO2 산화물 반도체에 Y2O3 Passivation Layer 를 형성하여 SnO2 내부의 결함을 최소화하고 외부 분자들과의 반응을 최대한 억제하였다. 기존의 산화물 반도체의 문제점인 지속적인 전압 인가에 따른 소자 특성 변화 문제를 해결 할 수 있는 재료를 최초로 발견하고, 관련 메커니즘을 규명하였다. 

https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0169433221010473