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전자공학부 최수현 (지도교수:장재원) 석사졸업생 (1저자)의 연구결과가 Materials Today Advances, (IF=8.0, JCR 상위 18.0%, Materials Science, Multidisciplinary분야) 논문에 게재
관리자 |
2025-09-15 |
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전자공학부 최수현 (지도교수:장재원) 석사졸업생 (1저자)의 연구결과가 Materials Today Advances, (IF=8.0, JCR 상위 18.0%, Materials Science, Multidisciplinary분야) 논문에 게재되었다.
“Enhanced mobility and bias stability of SnO2 thin-film transistors enabled by Ga2O3 passivation-induced two-dimensional electron gas” 제목으로 게재된 연구 성과는 Sol-gel 공정으로 제작된 SnO2 박막 트랜지스터에, Ga2O3 층을 보호막으로 활용하였다. 이로 인한 전기적, 구조적, 화학적 변화 메커니즘과 박막 트랜지스터의 전기적 특성과 상호 연관성을 제시하였다. 디스플레이의 픽셀 구동소자인 산화물 박막 트랜지스터의 외부 전압에 의한 불안정성 문제를 해결하였다. 동시에 필수적으로 발생하는 이동도 저하의 문제를, 2-DEG 를 형성하여 이동도 증가시켰다. 이로 인하여 기존의 난제를 동시에 해결하는 방법을 제시하였다. 본 연구는 중견연구 및 삼성디스플레이의 지원으로 수행되었다. 또한 싱가폴 난양 공대 (2025년 아시아 대학4위, 2026년도 QS 세계 대학 랭킹에서는 전 세계 12위) 와 9월부터 시작하는 글로컬 RnD 사업의 수행을 위한 기초 연구 성과이다.
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