| 제 목 | 전자공학부 박사후연구원 이원용(지도교수:장재원) Materials Today Nano, (IF=8.2, JCR 상위 16.1%, Materials Science, Coating & Multidisciplinary분야) 논문 게재 | ||||
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| 작성자 | 관리자 | 작성일 | 2024-09-03 | 조회수 | 401 |
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전자공학부 이원용(지도교수:장재원) 박사후연구원 (1저자)의 연구결과가 Materials Today Nano, (IF=8.2, JCR 상위 16.1%, Materials Science, Coating & Multidisciplinary분야) 논문에 게재되었다.
“Complementary Resistive Swithcing Characteristics of Solid Electrolyte Chacogenide AgxTe Nanoparticles for High Density Crossbar Ramdon Access Memory” 제목으로 게재된 연구 성과는, AgxTe 나노입자를 합성하고 이를 활용하여 RRAM 소자를 제작하였다. 또한 내부의 Conductive Filament 의 형상을 제어하여 추가적인 Selector 소자없이 Complementary Resistive Swithcing Characteristics 을 가능하게 하였하였다. 이를 활용하여 향후 고집적 RRAM Array 제작에 활용될 것으로 예상된다.
논문 링크: https://doi.org/10.1016/j.mtnano.2024.100515 |
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