안녕하세요.

전자공학부 장병철 교수입니다.

본 연구실은 고대역폭 플래시 메모리(HBF)향 NAND Cell 기술, Peri 소자 및 공정 기술, 그리고 차세대 3D NAND 신뢰성/성능 향상 기술을 중심으로 연구를 수행하고 있습니다. 

[모집 대상]

- 2026년 2학 입학 석, 박사과정 및 석박통합과정 대학원생 

- 반도체 관련 학부과목 수강자 (물리전자, 전자소자 수강 필수)

관심 있으신 학생들은 (김영권, knu0ger@knu.ac.kr)에게 

1. 자유 형식의 간단한 CV or 자기소개서 (전화번호, 이메일 포함)

2. 과목 이수 확인을 위한 성적 증명서 (스캔, 사진 무관 고화질 파일)

7/1(수)까지 첨부해서 메일 주시기 바랍니다.

[수행 분야]

1. HBF향 NAND Cell 소자 기술

-고대역폭/저전압 동작을 위한 차세대 NAND Cell 소자 신구조 연구

 ->관련 논문 학회 실적: 박사과정 1저자 학회 논문 (http://dx.doi.org/10.1109/IRPS61424.2026.11499233)

-3D NAND 전하저장층, 게이트 스택, 터널링/블로킹 산화막 energy band engineering 연구

 ->관련 논문 학회 실적: 박사과정 1저자 학회 논문 (http://dx.doi.org/10.1109/IRPS48204.2025.10983009)

-Read disturbance, retention, endurance 등 NAND 신뢰성 개선 연구

2. DRAM/NAND 메모리향 Peripheral 소자 및 공정 기술

-High-Voltage Peripheral Pass Transistor 소자 scaling 및 신뢰성 개선 연구
 ->관련 논문 실적1: 석사과정 1저자 논문 (https://ieeexplore.ieee.org/document/11400579)

 ->관련 학회 실적2: 박사과정 1저자 학회 논문(https://dx.doi.org/10.1109/IRPS61424.2026.11499177)

-I/O circuit 용 고성능/저전력 동작용 Low-Voltage Peripheral Transistor 소자 및 공정 연구

[본 연구실 특징]:산업체 연계형 차세대 메모리 연구

1. 삼성전자 및 SK하이닉스와의 협업 연구 경험을 기반으로 한 실용 중심 연구

2. 특히 SK하이닉스 타겟 협업 연구실로서, 실제 메모리 산업에서 요구되는 NAND Cell 및 Peri 소자·공정 기술을 중점적으로 연구 (하기 이미지 참고)

3.기업 연구개발 흐름과 연계된 주제를 통해 석·박사 과정 중 실질적인 반도체 연구 역량 강화

4. 연구실 주제가 양산기술/공정기술 직무 (이미 개발된 단위 공정이 실제 양산 라인에서 안정적으로 구현될 수 있도록 공정 조건, 장비 상태, 수율 및 불량 이슈를 관리하고 개선하는 역할)와는 거리가 있으며, 새로운 공정 기술이나 소자 physics 기반으로 새로운 구조 및 소자 박막을 연구/개발하는 연구 주제임

 ->소자/R&D 공정 직무에 부합하도록 회사의 요청에 맞춰, 연구주제를 align해서 과제 진행 중

-참고: 졸업생이 이제 나오기 시작한 연구실이며, 최근 SK하이닉스 이천 미기연 소자 직무 박사 산학장학생 선발됨 (SCI 논문이 아닌 위의 IEEE IRPS 학회 논문 실적으로 선발).

[연구실 홈페이지] http://imcd.knu.ac.kr/

감사합니다.