| 제 목 | 2015년도 후기 대학원생 모집 공고입니다. (김대현 교수 연구실) | ||||
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| 작성자 | 김대현 | 작성일 | 2015-05-12 | 조회수 | 1598 |
| 첨부파일 | |||||
| 2015년 후기 대학원생 모집공고 차세대 화합물 반도체 소자 연구하는 Compound Semiconductor Device Lab. (CSDL, 김대현 교수)에서 연구에 관심이 많은 예비 졸업생을 대상으로 2015년 후기 대학원생 선발하고자 합니다. 아래의 공지를 확인하고, 관심이 있는 학생들은 많은 신청을 바랍니다. 자세한 연구내용은 첨부된 파일을 참조바랍니다. 1) 2015년 2학기 (후기) 대학원생 모집 CSDL은 차세대 화합물 반도체 기반 전자소자 관련 연구를 진행 중입니다. 최근 들어 III-V족 기반의 화합물 반도체는 차세대 Logic 소자로서 큰 각광을 받고 있으며 군수용 및 고성능을 요구로 하는 여러 시스템에서도 다양하게 사용 되어지고 있습니다. 향후 연구 분야 및 산학연 과제의 확대로 인하여 다양한 연구기회 및 해외 기관과의 협력연구 기회 (MIT, Teledyne, imec)를 제공하고 있습니다.. (a) 현재 수행중인 연구 과제 - 화합물 반도체 Tunneling-FET (TFET) 소자 개발: 삼성 반도체 연구소 (2015년 3월 ~ 2017년 12월) - III-V on Si 기술을 이용한 미래소자 연구: 반도체 연구 조합 (2015년 3월 ~ 2018년 5월) - Logic 및 THz 용 화합물 반도체 소자 연구: 한국 나노 기술원 (2015년 3월 ~ 현재) - 화합물 반도체와 실리콘 간의 이종 접합 및 집적화 연구: 한국 나노 팹 센터 (2015년 3월 ~ 현재) (b) 선발된 대학원생의 연구 참여 분야 - 차세대 화합물 반도체를 이용한 TFET 소자용 요소 기술 개발 본 주제는 삼성 전자 전략 산학과제이며, 향후의 5-nm Technology-node에서 핵심적인 소자 구조로서 가장 큰 각광을 받고 있음. 이 과제를 수행하면서 자연스럽게 삼성 반도체 연구의 핵심을 담당하고 있는 반도체 연구소의 핵심 연구원들과의 교류가 예상됨. - 미래 반도체 소자 원천기술 개발: III-V channel을 이용한 CMOS Extension 기술 개발 Si 기반의 MOSFET 소자는 더 이상 dimension의 스케일링에 따른 성능 향상은 기대할 수 없을 것으로 예상되며 Si MOSFET의 전력소모가 scaling을 제한하는 시기에 진입함에 따라 최근 높은 carrier 이동도를 가지는 III-V 화합물 및 Ge 기반의 complementary (CMOS) 가 기존 Si 소자를 대체할 수 있는 차세대해결책으로 각광받고 있음. 본 연구과제는 삼성전자/SK-Hynix의 산학 지원과 반도체 연구조합 (COSAR) 연구지원을 받고 있음. |
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