Nano Device & System Lab.
(NDSL, 강인만 교수님 연구실)
학부연구생 모집

NDSL은 삼성전자, 하이닉스, 인텔 등에서 주로 연구 중인 차세대 반도체 소자 및 나노전자소자와 응용회로를 시뮬레이션과 제작을 통해 연구하고 있습니다. III-V 족 기반의 화합물 반도체 기반 3차원 소자 (삼성전자, 하이닉스, 인텔 등)와 군수용 초고주파 소자 (국방부, ADD 등) 연구도 병행하고 있습니다. (자세한 연구 분야 설명은 첨부파일을 참조해 주십시오.)

특히, 본 연구실은 삼성 전략과제 1기를 성공적으로 수행하였으며, 1T-DRAM에 대한 내용을 포함한 2기 과제 또한 재선정 되는 등 산학 협력 연구 활동도 활발히 수행하고 있습니다.

다음의 연구 분야에 관해 관심을 가지고 있는 학생들의 많은 관심과 지원 바랍니다.

[ NDSL 연구주제 ]

- 삼성전자 SK 하이닉스 등 주요 반도체 기업 중심의 연구

- CMOS Extension 및 Beyond Si CMOS

- 차세대 반도체 기반 저전력 터널링 FET

- Capacitorless 1T-DRAM 연구 및 개발

- 2D & 3D 소자 시뮬레이션 및 반도체 소자의 RF 모델링

- III-V 화합물 기반 반도체

- 고효율 LED 및 액티브 플라스모닉 소자 개발

* 자세한 연구 분야 설명은 첨부파일을 확인해주십시오.

[ 학부 연구생 지원항목 ]

- 매월 연구 인건비 정액 지원

- 연구실 내 대학원생과 동일한 자리/개인PC/시뮬레이션용 WS 제공

- SCI 논문 게재료 및 교정 지원 및 국제 학회 참석 경비 전액 지원

- 연구실 자체 MT 및 서울대 SMDL 연구실 연례논문 발표회 참석 지원

[ 학부 연구생 지원 조건 및 자격 ]

- 반도체 소자 및 회로에 “관심”과 “열정”만 있으면 누구나 지원 가능.

- 성적은 무관하며, 연구에 많은 관심이 있는 학생

- 대학원생과 동일한 전일제 연구생 가능자 (단, 시험/수업 시간은 예외)

- 반드시 대학원 연구실의 한 구성원이라는 유대감이 있는 학생

[ 진행 및 종료 과제 ]

(a) 진행 중

- 저전력/초고속/고주파 응용을 위한 GaN 기반의 3-5족 화합물 반도체 3차원 소자 제작과 응용회로 개발 (연구기간 : 2013. 06. 01 ~ 2016. 05. 31, 지원 : 한국 연구 재단)

(b) 종료

- 저전력 SoC 응용을 위한 저전력 터널링 전계 효과 트랜지스터의 개발 및 설계 최적화 (연구기간 : 2011. 07. 01 ~ 2015. 06. 30, 지원 : 삼성전자)

- Sub-Millimeter 파 응용을 위한 실리콘 나노와이어 MOSFET의 초고주파 모델 개발 및 설계 최적화 (연구기간 : 2010. 09. 01 ~ 2013. 08. 31, 지원 : 한국 연구 재단)

- 3차원 소자 시뮬레이션을 이용한 multi-gate MOSFET의 RF 모델 개발 (연구기간 : 2010. 09. 01 ~ 2011. 08. 31, 지원 : 경북대학교)

- Nanowire MOSFET의 파라미터 추출 및 모델 검증 (연구기간 : 2010. 03. 01 ~ 2011. 08. 31, 지원 : 경북대학교)

[ 연락처 및 홈페이지 ]

- 연락처 : 053-950-5513 (교수 연구실), 053-940-8613 (대학원 연구실), 010-3692-5324 (교수 휴대전화)

- E-mail 주소 : imkang@ee.knu.ac.kr

- 연구실 위치 : IT-3호관 304호

- 홈페이지 : https://sites.google.com/site/knundsl304/

- 지원 희망자 및 문의사항이 있는 학생은 위의 연락처나 메일로 언제든지 연락바랍니다.