FSDL (Future Semiconductor Device Lab)

(Homepage Address: http://vtsrc3.wixsite.com/fdsl)

FSDL은 차세대 미래 반도체 기반 전자소자 관련 연구를 진행 중입니다. 최근 들어 InGaAs 기반의 화합물 반도체는 Si에 비해 전자의 전송특성이 월등히 우수하여 차세대 Logic 소자로서 큰 각광을 받고 있으며 군수용 및 고성능을 요구로 하는 여러 시스템에서도 다양하게 사용 되어지고 있습니다. 향후 연구 분야 및 산학연 과제의 확대로 인하여 다양한 연구기회 (삼성 반도체 연구소, SK-Hynix, 한국나노기술원, 대전종합팹, KIST, Poongsan, QSI, Withwave 등) 및 해외 기관과의 협력연구 기회 (MIT, Teledyne, imec, Chalmers University of Technology, University of Texas at Austin, Texas State University 등)를 통하여 세계 최고 수준의 반도체 소자 관련 연구가 이루어지고 있습니다. 또한, FSDL 석사/박사/석박통합 학생에게는 i)국내 최고 수준의 급여 지급/산학장학생, ii)우수한 논문 게재를 위한 최상의 지원, 그리고 iii)졸업 후 양질의 취업 기회 지원을 약속합니다.

연락처 및 홈페이지

 - 연락처 : 053-950-7844 (교수 연구실)

 - 홈페이지 주소: http://vtsrc3.wixsite.com/fdsl  

  - e-mail 주소 : dae-hyun.kim@ee.knu.ac.kr

  - 연구실 위치 : IT-3호관 407호

 - 지원 희망자 및 문의사항이 있는 학생들은 위의 연락처나 메일로 언제든지 연락바랍니다.

  현재 수행중인 연구 과제

- 화합물 반도체 Tunneling-FET (TFET) 소자 개발: 삼성 반도체 연구소 (2015년 3월 ~ 2017년 12월)

- InGaAs MOSFET 소자 개발: 삼성 반도체 연구소 (2015년 7월 ~ 2020년 6월)

- Vritual-Source 기반의 Transistor 모델링 기법 연구: SK-Hynix ( 2017년 1월 ~ 2021년 12월)

- CMOS Extension 소자 기술 연구: 미래부/삼성/SK-Hynix (2015년 6월 ~ 2018년 5월)

- 초절전 미래반도체 소자 개발 연구: 삼성 반도체 연구소 (2016년 5월 ~ 2018년 12월)

- IoT 용 초저전력/저잡음 집적회로 개발: QSI (2016년 8월 ~ 2018년 7월)

- Logic 및 THz 용 화합물 반도체 소자 연구: 한국 나노 기술원 (2015년 3월 ~ 현재)

- 화합물 반도체와 실리콘 간의 이종 접합 및 집적화 연구: 한국 나노 팹 센터 (2015년 3월 ~ 현재)