< 김대현 교수님 연구실 2020 학년도 대학원생 모집 >

김대현 교수님 연구실 (Future Semiconductor Device Lab., https://vtsrc3.wixsite.com/fdsl ) 에서 2020 학년도 대학원생을 모집합니다.

본 연구실은 현재 아래와 같은 다양한 차세대 미래 반도체 기반 전자소자 관련 연구를 진행 중이며, 연구 분야 및 산학연 과제의 확대로 인하여 외부 기관과의 다양한 연구기회 (삼성 반도체 연구소, SK-Hynix, 한국나노기술원, 대전종합팹, QSI, Withwave 등) 및 해외 기관과의 협력연구 기회 (NTT, MIT, Win-Semiconductor, Teledyne, imec, UT-Austin, Texas-State-University, Chalmers University of Technology in Sweden 등)를 제공하고 있습니다.  

Research projects (On-going)

1. Sub-60 mV/dec InGaAs Nanosheet Transistors

- Duration: 2017 ~ 2022 (총괄연구책임자)

- Sponsor: 삼성미래재단육성센터

2. 나노선 기반 초저전력 TFET 개발

- Duration: 2017 ~ 2022 (총괄연구책임자)

- Sponsor: 미래창조과학부 (나노원천개발사업)

3. 적층형 InP/GaN 초고속 소자 및 집적화 기술 개발

- Duration: 2019 ~ 2024 (연구책임자)

- Sponsor: 국방과학연구소 (ADD)

4. 초절전/초고주파 InP 소자 기술 개발

- Duration: 2019 ~ 2022 (총괄연구책임자)

- Sponsor: 정보통신평가원 (IITP)

5. Lateral Tunnel-FET (TFET) 소자 개발

- Duration: 2019 ~ 2022 (위탁)

- Sponsor: 미래창조과학부

6. 양자컴퓨팅용 저잡음 증폭기 IC 개발

- Duration: 2019 ~ 2022 (연구책임자)

- Sponsor: 미래창조과학부

7. 초고주파 저잡음증폭기 IC 개발

- Duration: 2019 ~ 2022 (연구책임자)

- Sponsor: Eurostar (EU)

8. Research on high-k/III-V channel interface

- Duration: 2015 ~ 2020 (연구책임자)

- Sponsor: 삼성전자반도체연구소 (Korea)

9. Research on InGaAs/InAlAs QW structures on Si

- Duration: 2016 ~ 2019 (연구책임자)

- Sponsor: 삼성전자반도체연구소 (Korea)

10. Modeling of virtual-source injection velocity

- Duration: 2017 ~ 2022 (연구책임자)

- Sponsor: SK-Hynix (Korea)

11. 0.5 um InGaAs HEMTs for 5G RF switch ICs

- Duration: 2016 ~ 2019 (연구책임자)

- Sponsor: QSI (Korea)

12. THz GaN and InGaAs HEMT technologies

- Duration: 2017 ~ 2022 (연구책임자)

- Sponsor: NTT (Japan)

13. Quantum-computing용 초절전 소자개발

- Duration: 2018 ~ 2020 (연구책임자)

- Sponsor: Low Noise Factory (Sweden)

14. 6G용 초고속/초연결 전자소자 개발

- Duration: 2020 ~ 2022 (연구책임자)

- Sponsor: Win-semiconductor (Taiwan) 

관심 있는 학생은 아래 연락처로 연락주시길 바랍니다.

Email : - dae-hyun.kim@ee.knu.ac.kr (교수님)

        - david9414@naver.com (대학원생)