2025년 IRPS (International Reliability Physics Symposium)에서 김기한 박사과정 학생의 논문이 체택이 되어, 2025년 3월 미국 Monterey에서 발표할 예정이다.

이번 IRPS 논문은 국내 메모리 대기업 SK하이닉스와 미국 반도체 공정 장비 사 Applied Materials와의 공동 연구를 통하여, 3D NAND Flash 메모리의 핵심 신뢰성 열화 현상의 physics기반 모델링 및 해당 모델링을 기반으로 개선 가능한 공정을 제시한 산업체와의 공동 연구로 뜻깊은 연구 결과이다.

IEEE IRPS는 반도체 소자, 공정과 반도체 IC의 reliability technology 및 신뢰성 modeling에 관한 세계 최대의 국제 학회이다. 

해당 연구 결과는 3D NAND Flash 메모리의 cell 소자의 프로그램 효율과 관련된 ISPP (Incremental Step Pulse Program) slope의 열화 현상을 physics 기반으로 정확히 이해하고자 physics 기반 모델링을 진행하였으며, 해당 ISPP slope 열화 현상을 개선하고자 새로운 charge trap layer 박막을 설계하였다. 

해당 연구 결과를 통해 NAND 산업체에서 프로그램 효율 개선을 통한 성능/신뢰성 개선과 함께 volage generator circuit 및 high voltage peripheral transistor의 사이즈를 작게할 수 있어, NAND chip size를 줄이는데 크게 기여할 수 있는 후속 연구 및 개발로 이어질 수 있는 산업체에 귀감이 되는 연구 결과이다.